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型号 IRFH6200TR2PBF
厂商 International Rectifier
描述 MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
IRFH6200TR2PBF PDF
代理商 IRFH6200TR2PBF
产品目录绘图 IR Hexfet PQFN
标准包装 1
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 45A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 1.2 毫欧 @ 50A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.1V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 230nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 10890pF @ 10V
功率 - 最大 3.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVQFN
供应商设备封装 PQFN（5x6）
包装 标准包装
其它名称 IRFH6200TR2PBFDKR
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